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TT: Tiefe Temperaturen

TT 25: HF-Anwendungen

TT 25.3: Vortrag

Freitag, 31. März 2000, 11:30–11:45, H19

Resonatoren und Filter aus YBaCuO-Schichten auf
Saphirsubstraten — •R. Schneider, R. Aidam, A. Zaitsev, J. Geerk, G. Linker, F. Ratzel und R. Smithey — Forschungszentrum Karlsruhe, IFP, Postfach 3640, 76021 Karlsruhe

Durch Sputtern von gesinterten YBaCuO-Hohlzylindertargets wurden gleichzeitig beide Seiten von (-1102) Saphirsubstraten von 3 Zoll Durchmesser mit 300-400 nm dicken c-Achsen orientierten YBaCuO-Schichten belegt. Die Epitaxie der YBaCuO-Schichten wurde durch 30 nm dicke Zwischenschichten aus CeO₂ erreicht. Schichtdicke, Zusammensetzung und Wachstumsgüte wurden durch Rutherford-Rückstreuung und Röntenbeugung charakterisiert. Die auf beiden Seiten des Wafers an verschiedenen Stellen induktiv gemessenen T_c- und j_c-Werte variierten zwischen 89 und 91 K bzw. 2 und 5 MA/cm² bei 77 K. Die Verteilungen der R_s-Werte waren schmal mit Bestwerten von weniger als 0.3 mΩ bei 10 GHz. Mittels UV-Photolithografie und nasschemischem Ätzen oder Ätzen mit Ionenstrahl wurden gerade Resonatoren und parallel gekoppelte Bandpassfilter in Mikrostreifenleitertechnik mit Resonanz- bzw. Mittenfrequenzen von 4 und 6 GHz hergestellt. Die Resonatoren zeigten unbelastete Gütewerte von bis zu 20 000 bei 77 K und einer Generatorleistung von 1 mW. Die Einfügungsdämpfung im Durchlassbereich der Filter betrug nur -0.2 dB.