Regensburg 2000 – scientific programme

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TT: Tiefe Temperaturen

TT 7: Postersitzung I: Amorphe- und Tunnelsysteme (1-8), Mesoskopische Systeme (9-21), Schwere Fermionen (22-32), Kernmagnetismus (33-34), Josephson-Kontakte und SQUIDs (35-45), TT-Detektoren und Kryotechnik (46-49)

TT 7.14: Poster

Monday, March 27, 2000, 14:30–18:00, A

Herstellung und Charakterisierung von feldeffektgesteuerten Py/2DEG/Py-Kontakten auf p-Typ InAs — •J. Milde, T. Matsuyama, G. Meier und U. Merkt — Institut für Angewandte Physik, Universität Hamburg, Jungiusstraße 11, D-20355 Hamburg

In diesem Beitrag werden Py/2DEG/Py-Kontakte auf p-Typ InAs untersucht, bei denen das quasi-zweidimensionale Elektronengas (2DEG) durch die natürliche Inversionsschicht an der Substratoberfläche gebildet wird. Die unterschiedlich großen Source- (1µm× 2µm× 0.2µm) und Drain-Kontakte (1µm× 1µm× 0.2µm) wurden mit Elektronenstrahllithographie strukturiert und in einem Abstand von ca. 200 nm angeordnet. Bei dieser Geometrie erhält man an der Kontaktkante eine Abschlußdomäne, die in Transportexperimenten eine definierte Spin-Polarisation der Elektronen hervorrufen sollte. Das magnetkraftmikroskopische Bild der Elektroden zeigt das theoretisch erwartete Landau-Muster in der Magnetisierung. Ferner führt die asymmetrische Kontaktgeometrie zu unterschiedlichen Koerzitivfeldstärken der beiden Elektroden. Simulationsrechnungen ergeben neben der Magnetisierung auch die Hysteresekurve der Konfiguration. Mit einer Gate-Elektrode können in dieser MOSFET-Struktur die Elektronendichte in der Inversionsschicht und die Spin-Bahn-Kopplung aufgrund des asymmetrischen Potentials (Rashba-Effekt) über den Feldeffekt gesteuert werden. Die Transportcharakteristik dieses Bauelements wird mit und ohne Magnetfeld bei LHe-Temperatur gemessen und diskutiert.