Regensburg 2000 – scientific programme

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TT: Tiefe Temperaturen

TT 7: Postersitzung I: Amorphe- und Tunnelsysteme (1-8), Mesoskopische Systeme (9-21), Schwere Fermionen (22-32), Kernmagnetismus (33-34), Josephson-Kontakte und SQUIDs (35-45), TT-Detektoren und Kryotechnik (46-49)

TT 7.16: Poster

Monday, March 27, 2000, 14:30–18:00, A

Photon-assisted tunneling durch einen metallischen Einzelelektronentransistor — •C. Wallisser, S. Kaus, B. Limbach, P. vom Stein und R. Schäfer — Forschungszentrum Karlsruhe, IFP, Postfach 3640, 76021 Karlsruhe

Wir berichten über Messungen an Al/Al₂O₃/Al-Einzelelektronentransistoren. Dabei beobachten wir auch bei verschwindender Source-Drain-Spannung einen endlichen Strom durch den Transistor. Ähnliche Effekte wurden bereits an Einzelelktronentransistoren in Halbleiter-Heterostrukturen beobachtet [1]. Der Effekt wird durch asymmetrische Einstrahlung hochfrequenter Strahlung verursacht, die zu einem Pumpen von Elektronen an einer der beiden Tunnelbarrieren führt.

Unsere Messungen werden in einem mit Miniaturkoaxialkabeln zur Hochfrequenzfilterung ausgestatteten Top-Loading Mischkryostaten durchgeführt. Aus der Geometrie der Koaxialkabel und dem Skin-Effekt für Innen- und Außenleiter ergibt sich eine Dämpfung von 200 dB bei 20 GHz bis zu 400 dB bei 6 THz. Die möglichen Ursachen der dennoch vorhandenen Einstrahlung werden diskutiert.

[1] J. P. Kouwenhoven et al., Phys. Rev. B 50, 2019 (1994)