Regensburg 2000 – scientific programme
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TT: Tiefe Temperaturen
TT 7: Postersitzung I: Amorphe- und Tunnelsysteme (1-8), Mesoskopische Systeme (9-21), Schwere Fermionen (22-32), Kernmagnetismus (33-34), Josephson-Kontakte und SQUIDs (35-45), TT-Detektoren und Kryotechnik (46-49)
TT 7.42: Poster
Monday, March 27, 2000, 14:30–18:00, A
Josephson Feldeffekttransistoren auf p-Typ InAs — •M. Ebel, R. Kürsten, T. Matsuyama, G. Meier und U. Merkt — Institut für Angewandte Phsyik und Zentrum für Mikrostrukturforschung Hamburg, Jungiusstraße 11, D-20355 Hamburg
Wir stellen Josephson Feldeffekttransistoren auf p-Typ InAs her. Die beiden Niobkontakte werden dabei über die natürliche Inversionsschicht des Halbleiters gekoppelt. Über eine Gateelektrode kann die Ladungsträgerdichte im 2DES eingestellt werden. Aufgrund der hohen Grenzflächentransparenz werden ICRN-Produkte von bis zu 550 µV bei 1.7 K erreicht. Die Fraunhofer-Messungen lassen auf eine homogene Stromverteilung entlang der Kontakte schließen. In den differentiellen Strom-Spannungskennlinien zeigt sich eine deutliche subharmonic energy gap structure bis n=6. Zwei dieser JoFETs werden zu einem DC-SQUID kombiniert. Der kritische Strom der Einzelkontakte kann unabhängig von einander variiert werden. Es werden erste Meßergebnisse präsentiert.