Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm
Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe
TT: Tiefe Temperaturen
TT 7: Postersitzung I: Amorphe- und Tunnelsysteme (1-8), Mesoskopische Systeme (9-21), Schwere Fermionen (22-32), Kernmagnetismus (33-34), Josephson-Kontakte und SQUIDs (35-45), TT-Detektoren und Kryotechnik (46-49)
TT 7.48: Poster
Montag, 27. März 2000, 14:30–18:00, A
NIS-Tunneldioden als Detektor niederenergetischer Röntgenstrahlung — •Michael Huber, Godehard Angloher, Josef Jochum und Franz von Feilitzsch — Physik-Department E15, Technische Universität München, james-Franck-Str., 85747 Garching
NIS-Tunneldioden bestehen aus einer normal- und einer supraleitenden Metallschicht, die durch eine dielektrische Tunnelbarriere getrennt sind. Der elektrische Strom über die Tunnelbarriere weist eine Abhängigkeit von der Temperatur der Normalleiterschicht auf; da Strahlungsabsorption mit einem Temperaturanstieg verbunden ist, kann die NIS-Tunneldiode als Strahlungsdetektor verwendet werden.
Eine weitere interessante Eigenschaft der NIS-Tunneldiode stellt ihre Fähigkeit dar, unter geeigneten Bedingungen ihre Normalleiterschicht unter die Umgebungstemperatur zu kühlen; dies eröffnet die Möglichkeit, die NIS-Tunneldiode als aktives Kühlelement für andere Tieftemperaturanwendungen einzusetzen.
Im Rahmen des Vortrags werden die Herstellung von NIS-Tunneldioden an der Technischen Universität München beschrieben und die Resultate vorgestellt.