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TT: Tiefe Temperaturen

TT 9: Mesoskopische Systeme

TT 9.6: Vortrag

Dienstag, 28. März 2000, 11:45–12:00, H18

Leitfähigkeit des Einzelelektronentransistors im Bereich starken Tunnelns — •Georg Göppert¹, Bruno Hüpper² und Hermann Grabert¹ — ¹Fakultät für Physik, Albert–Ludwigs–Universität, Hermann–Herder–Str. 3, D-79104 Freiburg, Germany — ²Chemical Physics Department, Weizmann Institute of Science, 76100 Rehovot, Israel

Wir untersuchen Effekte von starkem Tunneln auf die lineare Leitfähigkeit des Einzelelektronentransistors. Tunneln behandeln wir im Rahmen einer Pfadintegraldarstellung und die Leitfähigkeit wird mit der Kuboformel bestimmt. Die benötigten Imaginärzeitkorrelationsfunktionen berechnen wir durch Monte–Carlo–Simulationen und bestimmen den Leitwert mit Hilfe der Singulärwertzerlegung. Nichtstörungstheoretische Ergebnisse für die lineare Leitfähigkeit können somit im experimentell relevanten, jedoch analytisch nicht zugänglichen Parameterbereich erhalten werden. Die Voraussagen für moderate Tunnelstärken vergleichen wir mit störungstheoretischen Resultaten und für den Bereich starken Tunnelns mit analytischen Ergebnissen der semiklassischen Theorie. Die gute Übereinstimmung mit den theoretischen Resultaten in diesen Grenzfällen lässt auf die Zuverlässigkeit unserer numerischen Daten im gesamten Parameterregime schließen. Ferner analysieren und diskutieren wir experimentelle Daten mit der neuen Methode.