Bonn 2001 – scientific programme

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T: Teilchenphysik

T 202: Halbleiterdetektoren 2

T 202.2: Talk

Tuesday, March 27, 2001, 14:15–14:30, HS IX

Simulation von bestrahlten Siliziumdetektoren in Magnetfeldern — •Valeria Bartsch, Wim de Boer, Johannes Bol, Alexander Dierlamm, Eugene Grigoriev, Florian Hauler, Oliver Herz, Levin Jungermann und Michael Koppenhöfer — Universität Karlsruhe, Institut für experimentelle Kernphysik, Postfach 6980, 76128 Karlsruhe

Bei intensiver Bestrahlung ändern sich die Eigenschaften von Silizium-Detektoren grundlegend. Dies bewirkt ein verändertes Driftverhalten und damit durch die Lorentzkraft eine Änderung der Driftrichtung im Magnetfeld. Die Größe des Lorentzversatzes ist abhängig von der Strahlendosis. Die berechneten Größe des Lorentzversatzes wird mit der gemessenen unter Berücksichtigung des veränderten elektrischen Feldes, der effektiven Dotierungskonzentration und der Mobilität verglichen.