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T: Teilchenphysik

T 202: Halbleiterdetektoren 2

T 202.4: Vortrag

Dienstag, 27. März 2001, 14:45–15:00, HS IX

Lorentzwinkel in bestrahlten Silizium-Detektoren — •Florian Hauler, V. Bartsch, W. de Boer, J. Bol, A. Dierlamm, E. Grigoriev, S. Heising, O. Herz, Levin Jungermann und M. Koppenhöfer — Institut für Experimentelle Kernphysik, Forschungszentrum Karlsruhe, Hermann-von-Helmholtzplatz 1, 76344 Eggenstein-Leopoldshafen

Zukünftige Experimente der Hochenergiephysik verwenden Siliziumdetektoren in einer stark strahlenbelasteten Umgebung. Zur Impulsmessung werden hohe magnetische Felder eingesetzt. Die Ablenkung der Ladungsträger im Silizium der Detektoren durch diese Felder muß berücksichtigt werden - besonders bei tiefen Temperaturen, wenn die Mobilitäten der Ladungsträger hoch sind. Der Betrieb bei tiefen Temperaturen dient dazu, die Effekte der Strahlenschädigung zu reduzieren. Wir präsentieren Lorentzwinkelmessungen in unbestrahlten und bestrahlten Siliziumdetektoren im Temperaturbereich zwischen 77 K und 300 K.