Bonn 2001 – scientific programme

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T: Teilchenphysik

T 602: Halbleiterdetektoren 6

T 602.3: Talk

Thursday, March 29, 2001, 10:30–10:45, HS IX

Ergebnisse von Messungen an einzelnen DEPFET Silizium-Pixel-Detektoren — •Stephan Adler¹, Peter Buchholz², Peter Fischer¹, Peter Klein², Mario Loecker¹, Gerhard Lutz³, Wolfgang Neeser¹, Marcel Trimpl², Lothar Strüder³, Johannes Ulrici¹ und Norbert Wermes¹ — ¹Physikalisches Institut der Universität Bonn, Nussallee 12, 53115 Bonn — ²Experimentelle Physik V, Universität Dortmund, 44221 Dortmund — ³MPI Halbleiterlabor, Otto-Hahn-Ring 6, 81739 München

Bei einer DEPFET-Pixeldetektorzelle ist ein p-Kanal JFET in ein vollständig depletiertes, hochohmiges Siliziumsubstrat integriert. In einem Pixel werden Signalladungen unter dem Kanal des JFET akkumuliert und steuern direkt den Transistorstrom. Durch diese Vorgehensweise kann eine sehr kleine Vorverstärker-Eingangskapazität realisiert werden. Dies führt zu einer sehr guten Energieauflösung des Bauelementes. Mit einzelnen Pixeln wurde ein ENC von 4,9 e- bei Raumtem- peratur gemessen. Es werden Messungen an einzelnen DEPFET-Pixeln präsentiert, die unter anderem die spektroskopischen Eigenschaften des Sensors, insbesondere das Rauschverhalten, sowie den für die Pixel notwendigen Reset-Mechanismus untersuchen.