Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm
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AM: Magnetismus
AM 3: Magnetowiderstand I
AM 3.15: Vortrag
Montag, 26. März 2001, 18:00–18:15, S 5.2
Transporteigenschaften und Filmwachstum dünner Filme aus La2−2xSr1+2xMn2O7* — •Jan Boris Philipp1, J. Klein2, C. Recher2, D. Reisinger1, T. Walther3, W. Mader3, A. Marx1, L. Alff1 und R. Gross1 — 1Walther-Meissner-Institut, Bay. Akademie der Wissenschaften, Walther-Meissner-Str. 8, 85748 Garching — 2II. Physikalisches Institut, Universität zu Köln — 3Institut für Anorganische Chemie, Universität Bonn
Im Unterschied zu den dotierten Manganaten der Form (A,B)1MnO3 ist das Material La2−2xSr1+2xMnO7 intrinsisch anisotrop. Dieses Material ist daher interessant in Hinblick auf intrinsische magnetische Tunnelkontakte. Wir haben mittels gepulster Laserablation dünne Filme aus La1.2Sr1.8MnO7 und La1.4Sr1.6MnO7 auf SrTiO3 und NdGaO3 Substraten aufgewachsen. Die Kristallstruktur wurde durch in-situ RHEED, in-situ Rasterkraftmikroskopie, Rntgenanalyse und Transmissionselektronenmikroskopie charakterisiert. Die Temperaturabhängigkeit des Widerstands wurde sowohl in a- als auch c-Achsenrichtung gemessen, wobei in beiden Fllen ein Übergang von halbleitendem zu metallischem Verhalten bei etwa 100 bis 150 K auftritt. Unterhalb der Curie-Temperatur konnte für kleine Magnetfelder ein magnetoresistiver Effekt von einigen Prozent und nicht-lineare Strom-Spannungs-Kennlinien beobachtet werden, was mit einem intrinsischen magnetischen Tunnelverhalten erklärt werden kann. *Gefördert durch die Deutsche Forschungsgemeinschaft.