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AM: Magnetismus

AM 5: Anisotropie

AM 5.1: Vortrag

Montag, 26. März 2001, 17:15–17:30, S 5.4

In-plane Reorientierungsübergang in ultradünnen epitaktischen Fe(110) Filmen auf GaAs(110) — •Michael Zölfl, Rainer Höllinger, Rupert Moosbühler und Günther Bayreuther — Institut für Experimentelle und Angewandte Physik, Universität Regensburg, 93040 Regensburg

Epitaktische Fe-Schichten mit Dicken von 4 bis 150 ML wurden mittels Molekularstrahlepitaxie auf GaAs(110) bei Zimmertemperatur aufgewachsen und mit 20 ML Au als Oxidationsschutz abgedeckt. Die magnetische in-plane-Anisotropie wurde mit einem Wechselgradienten-magnetometer in einem Temperaturbereich von 150 K bis 295 K untersucht. Mit abnehmender Schichtdicke wechselt bei Zimmertemperatur die leichte Achse bei 24,2 ML von [001] nach [-110]. Für eine 24 ML dicke Fe-Schicht wechselt die leichte Achse mit zunehmender Temperatur bei 251K von [001] nach [-110]. Der Reorientierungsübergang kann durch die Überlagerung der kubischen Kristallanisotropie mit einem zusätzlichen uniaxialen Term erklärt werden. Die Schichtdickenabhängigkeit kann durch das Zusammenwirken je eines Volumen- und Grenzflächenbeitrags ausgedrückt werden.