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AM: Magnetismus
AM 9: Poster: Magnetowid. (1-17), Dü. Schichten (18-34), Oberfl
ächenmag. (35,36), Mikr. Methoden (37-45), Mikromag. (46-58), Phasenüberg. (59-77), Spektroskop. (78-91), Nanokr.Mat.(92-96), Anisotrop. (97-101), Schmelzen(102-104),Sonst/postdeadl.(105-109)
AM 9.12: Poster
Dienstag, 27. März 2001, 14:45–19:00, Foyer S 3
Linearer negativer Magnetowiderstand in CrO2-Filmen durch Doppelaustausch — •M. Rabe1, J. Pommer1, K. Samm1, M. Fraune1, U. Rüdiger1, G. Güntherodt1, St. Senz2 und D. Hesse2 — 12. Phys. Institut der RWTH Aachen, 52056 Aachen — 2Max-Planck-Institut für Mikrostrukturphysik, Weinberg 2, 06120 Halle/Saale
CrO2 gilt aufgrund der theoretisch vorhergesagten 100%
Spinpolarisation an der Fermienergie EF als aussichtsreiches
Material für Anwendungen in der Magnetoelektronik.
a-Achsen texturierte CrO2 Filme wurden mittels Gasphasenepitaxie
(CVD)
auf Al2O3(0001)- sowie auf TiO2(100)-Substraten präpariert.
Strukturelle Untersuchungen der CrO2-Filme mittels
Elektronenbeugung, XRD und
TEM zeigen für Al2O3(0001)-Substrate
eine Fortsetzung der dreizähligen
in-plane Substrat-Symmetrie von
CrO2{011} Kristallitebenen, wohingegen TiO2(100)-Substrate ein
epitaktisches CrO2(100) Wachstum ermöglichen.
In Funktion der Temperatur und des Magnetfeldes wurden
unterschiedliche
Magnetowiderstands(MR)-Effekte (anisotroper MR, Lorentz MR
und ”intergrain tunneling” MR) im Hoch- und Niederfeldbereich
identifiziert und mit
kristallinen Eigenschaften korreliert. Für mikrostrukturierte
CrO2-Filme
findet man – unabhängig von
der kristallinen Qualität – bei T=285 K im Hochfeldbereich bis 23 T
einen linearen negativen MR. Analog zu den
Colossal-MR-Manganaten lässt sich
dieser MR Beitrag auf den theoretisch diskutierten intrinsischen
Doppelaustausch-Mechanismus in CrO2 zurückführen.
Gefördert durch DFG (SFB341) und BMBF (13N7329).