Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe
AM: Magnetismus
AM 9: Poster: Magnetowid. (1-17), Dü. Schichten (18-34), Oberfl
ächenmag. (35,36), Mikr. Methoden (37-45), Mikromag. (46-58), Phasenüberg. (59-77), Spektroskop. (78-91), Nanokr.Mat.(92-96), Anisotrop. (97-101), Schmelzen(102-104),Sonst/postdeadl.(105-109)
AM 9.15: Poster
Dienstag, 27. März 2001, 14:45–19:00, Foyer S 3
Tunnelmagnetowiderstand an sub-Mikrometerkontakten hergestellt durch Elektronenstrahllithographie — •K. Rott1, H. Brückl1, M. Justus1, G. Reiss1, R. Kinder2, G. Gieres2 und J. Wecker2 — 1Universität Bielefeld, Fakultät für Physik, Universitätsstr. 25, D-33615 Bielefeld — 2Siemens AG, Zentralabteilung Technik, Erlangen
Wir haben magnetische Tunnelstrukturen mit lateralen Abmessungen im sub-Mikrometerbereich hergestellt und das Schaltverhalten für verschiedene Geometrien untersucht. Die Tunnelelemente bestehen aus einem Co/Al2O3/Co Schichtsystem, wobei die Barriere durch Plasmaoxidation hergestellt wird. In einem Mehrschrittprozeß wurden über Elektronenstrahllithographie an Lackmasken und anschließendes Trockenätzen Tunnelstrukturen zwischen gekreuzten Leiterbahnen mit Abmessungen bis ca. 250x250 nm2 definiert. Bei Raumtemperatur wird ein gegenüber großflächigen Elementen unvermindertes TMR- Signal beobachtet, wobei der detaillierte Verlauf des Magnetowiderstandes beim Umschaltvorgang stark durch die magnetische Domänenstruktur der weichmagnetischen Schicht bestimmt wird.
Die Arbeiten wurden gefördert vom BMBF im Rahmen des Leitprojektes "Magnetoelektronik" (Förderkennzeichen 13N7380/4).