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DF: Dielektrische Festkörper

DF 6: Poster

DF 6.11: Poster

Mittwoch, 28. März 2001, 14:30–18:00, Foyer S3

Herstellung und Charakterisierung von dünnen Filmen aus Ba_0.7Sr_0.3TiO₃ und LaAlO₃ auf Si(100) und CoSi₂/Si(100)-Heterostrukturen — •Martin Schmid, O. Trithaveesak, W. Zander, S. Winnerl, M. Siegert, J. Schubert und Ch. Buchal — ISG-IT, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52428 Jülich

Für die moderne Mikroelektronik werden immer kleinere Kondensatoren benötigt. Um dies zu erzielen, verwendet man Isolatormaterialien mit einer hohen Dielektrizitätskonstante. Dazu bieten sich perovskitartige Verbindungen wie Ba_0.7Sr_0.3TiO₃ (BST) und LaAlO₃ an. Mittels Laserablation (PLD) wurden dünne polykristalline Schichten ( 50 nm) auf Silizium(100) und CoSi₂(100) bei verschiedenen Substrattemperaturen abgeschieden. Der CoSi₂-Film wurde als 70 nm dicke Schicht durch Molekularstrahlepitaxie auf Si(100)-Substrat hergestellt. Die Stöchiometrie der Schichten wurde mit RBS analysiert, die strukturellen Eigenschaften wurden mit Röntgen-Analyse (XRD) und Transmissions-Elektronen-Mikroskopie untersucht. Die Dielektrizitätskonstanten der Schichten wurden durch aufgedampfte Gold-Kontakte mit einer LRC-Messbrücke bestimmt. Als Gegenelektrode diente die CoSi₂-Schicht. Bei den BST Schichten, die bei einer höheren Temperatur hergestellt wurden, wurde eine Si-Diffusion vom Substrat in den BST-Film festgestellt. Diese Diffusion tritt bei LaAlO₃-Schichten nicht auf. Weiterhin wurde die Abhängigkeit der Dielektrizitätskonstanten von der Substrattemperatur bei der Herstellung untersucht.