Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS 10: Laserverfahren II

DS 10.1: Vortrag

Dienstag, 27. März 2001, 11:15–11:30, S 5.1

β-FeSi₂-Schichtherstellung durch Laserbestrahlung von Fe/Si-Schichten — •Steffen Wagner, Peter Schaaf und Ettore Carpene — Universität Göttingen, Zweites Physikalisches Institut, Bunsenstrasse 7/9, D-37073 Göttingen

Aufgrund seiner optoelektronischen Eigenschaften besteht ein großes Interesse an Herstellungsverfahren für β-FeSi₂. Wir haben 50 nm dicke Fe-Schichten mit Hilfe einer Effusionszelle auf Si(100) aufgedampft. Um eine schnellere Analyse mittels Mößbauerspektroskopie zu ermöglichen, wurde hierfür ⁵⁷Fe verwendet. Bei der anschließenden Bestrahlung mit Laserlicht der Wellenlänge 308 nm eines XeCl-Excimer-Lasers wurden die Laserparameter Energiedichte und Pulszahl variiert. Die stöchiometrische Zusammensetzung der entstandenen Schicht wurde mit Rutherford-Rückstreuspektrometrie (RBS) bestimmt. Zusätzlich zur Konversionselektronen-Mößbauerspektroskopie (CEMS) wurde für die Phasenanalyse auch Röntgenbeugung (XRD) verwendet. Die Ergebnisse zeigen mit steigender Energiedichte eine vermehrte Umwandlung der ursprünglichen α-Fe-Phase zu FeSi und β-FeSi₂.