Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS 13: Schichtherstellung III

DS 13.4: Vortrag

Dienstag, 27. März 2001, 11:45–12:00, S 13/14

Phasenbildung am System Cu-In-S; Optische und elektrische In-situ Untersuchungen — •Christian Pietzker, Dieter Bräunig und Roland Scheer — Hahn-Meitner-Institut Berlin,Glienicker Strasse 100,14109 berlin

Die Sulfurisierung von Kupfer/Indium-Metallschichten ist eine Methode zur Herstellung von Kupferindiumdisulfid (CuInS2), das als Absorbermaterial in Dünnschichtsolarzellen eingesetzt wird. In den durchgeführten Experimenten wurde die Sulfurisierung in-situ mittels diffuser Laserlichtstreuung und elektrischer Leitwertmessung untersucht. Unter Hinzuziehung von Röntgenbeugungsexperimenten (XRD) wird ein neues Modell des Wachstums von CuInS2 vorgestellt. CuInS2 bildet sich durch Sulfurisierung von Cu-In Phasen bei einer Temperatur um 150 C. Die Bildung einer Binärphase, bei der Sulfurisierung einer Cu-reichen Vorläuferschicht, erfolgt als Sekundärphasenprozess bei höheren Temperaturen. Die Ergebnisse stehen im Widerspruch zu denen im System Cu-In-Se. Obwohl CuInS2 mit dem CuInSe2 sehr verwandt ist, konnte kein Wachstum über die binären Phasen CuS und In2S3 nachgewiesen werden.