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DS: Dünne Schichten

DS 14: Schichtwachstum II

DS 14.1: Hauptvortrag

Dienstag, 27. März 2001, 15:30–16:15, S 13/14

Physikalische Grundlagen der Epitaxie und der Selbstassemblierung von Nanostrukturen — •Harald Ibach — Forschungszentrum Juelich, ISG3, 52425 Juelich

Der Vortrag gibt einen Überblick über die Thematik. Ausgehend von der Hierarchie möglicher Gleichgewichts- und Quasigleichgewichtszustände und der Hierarchie von Diffusionsprozessen an Oberflächen werden die für die Strukturbildung an Oberflächen relevanten Prozesse resumiert und am Beispiel der Homoepitaxie aufKupfer mithilfe eines STM-Videos dargestellt. Selbstassemblierte Nanostrukturen können sich sowohl rein kinetisch als auch alsGleichgewichtszustände bilden. Bei der kinetische Bildung benutzt man Nukleationsprozesse ebenso wie bestimmte Wachstumsinstabilitäten, die in den vergangen Jahren an verschiedenen Systemen experimentell gefunden und auch in der Theorie behandelt wurden. Gleichgewichtsnanostrukturen beruhen einerseits auf einer Stabilisierung einer bestimmten Strukurgröße und Form durch Oberflächen und Volumenspannungen und von Oberflächen- und Domänenrandenergien auf der anderen. Durch geschickte Nutzung von Wachstumsprozessen und spannungsstabilisierten Gleichgewichten gelingt es Nanostrukturen mit sehr homogener Größen- und Abstandsverteilung herzustellen.