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DS: Dünne Schichten

DS 2: Oberfl
ächenmodifizierung II

DS 2.1: Vortrag

Montag, 26. März 2001, 10:15–10:30, S 5.1

Selbstorganisierende Enstehung von periodischen Nanometerstrukturen durch die Ionenstrahlerosion von Halbleiteroberflächen bei simultaner Probenrotation — •Frank Frost, Axel Schindler, Frieder Bigl und Bernd Rauschenbach — Institut für Oberflächenmodifizierung e. V., Permoserstraße 15, 04318 Leipzig

Ein bekanntes Phänomen ist die Enstehung von periodischen Ripple–Strukturen auf Festkörperoberflächen hervorgerufen durch die Ionenstrahlerosion unter schrägem Einfall. Im Gegensatz dazu kann man bei bestimmten Halbleitermaterialien, wie z. B. InP, bei Aufhebung der durch die Ioneneinfallsrichtung vorgegebenen Anisotropie durch senkrechten Ioneneinfall oder allgemeiner bei schrägem Einfall und simultaner Probenrotation die Ausbildung regelmäßiger Hügel– oder Dot–Strukturen mit Abmessungen z. T. deutlich kleiner als 100 nm beobachten [1]. Die entstehenden Dot-Strukturen zeichnen sich durch eine hexagonaler Anordnung und eine annähernd gleiche Größe der einzelnen Dots aus. Die laterale bzw. vertikale Dimension dieser Strukturen kann durch die Sputterparameter eingestellt werden. Basierend auf einer umfassenden Analyse der örtlichen und zeitlichen Entwicklung der Oberflächentopographie (z. B. Skalenverhalten) wird dieser selbstorganisierende Musterbildungsprozeß unter Berücksichtigung einer kürzlich vorgeschlagenen nichtlinearen Theorie diskutiert [2].
F. Frost, A. Schindler, F. Bigl, Phys. Rev. Lett. 85, 4116 (2000).
B. Kahng, H. Jeong, A. L. Barabási, e–print cond–mat/0008111.