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DS: Dünne Schichten

DS 25: Spezielle Schichten III

DS 25.1: Vortrag

Donnerstag, 29. März 2001, 16:15–16:30, S 13/14

Gasphasenabscheidung von Fluorpolymerschichten — •T. Strunskus, R. Hirschberg und V. Zaporojtchenko — Technische Fakultät der Universität Kiel, Lehrstuhl für Materialverbunde, Kaiserstr. 2, 24143 Kiel

Fluorpolymere sind als Antihaftschichten, schmutzabweisende Schutzschichten und zunehmend auch für die Mikroelektronik von großem Interesse. Ein besonders interessantes Material ist hierbei das Teflon AF, das eine extrem niedrige Dielektrizitätszahl und entsprechend auch einen sehr niedrigen Brechungsindex aufweist. Teflon AF kann sehr leicht thermisch zerlegt und in die Gasphase überführt, und wieder als Schicht abgeschieden werden. Die Abscheiderate und die Schichtdicke lassen sich hierbei über einen weiten Bereich über die Verdampfertemperatur und die Abscheidedauer steuern. Die aufgedampften Teflon AF Filme wurden hinsichtlich ihrer physikalischen und chemischen Eigenschaften untersucht. Die abgeschiedenen Teflon-AF-Schichten sind wie das Ausgangsmaterial amorph und weisen prinzipiell die gleichen monomeren Grundbausteine auf. Allerdings werden durch den Abscheideprozeßsowohl die genaue chemische Zusammensetzung als auch die physikalischen Eigenschaften verändert. Ein Modell für den Abscheideprozeßwird vorgestellt und diskutiert.