Hamburg 2001 – scientific programme

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DS: Dünne Schichten

DS 27: c-BN:X

DS 27.1: Talk

Friday, March 30, 2001, 11:30–11:45, S 5.1

Phasenbildung von Bornitrid-Schichten unter Einwirkung von Fremdatomen — •C. Ronning¹, K. Kudec¹, S. Eyhusen¹, H. Feldermann¹, H. Hofsäss¹, V. Linß² und F. Richter² — ¹II. Physikalisches Institut, Universität Göttingen, Bunsenstr. 7-9, 37073 Goettingen — ²Institut für Physik, TU Chemnitz, Reichenhainer Strasse 70, 09126 Chemnitz

Das Einbringen von Fremdatomen in kubisches Bornitrid (c-BN) ist aus zweierlei Gründen interessant: Akzeptoren (wie z.B. Mg) und Donatoren (wie z.B. S und Se) in geringen Konzentrationen könnten zu p- bzw. n-Typ c-BN für elektronische Bauelemente führen. Anderseits sind die Materialeigenschaften von tenären c-BN:X-Verbindungen bisher auch noch völlig unbekannt. Um dies zu untersuchen, wurden mittels massenseparierter Ionenstrahldeposition BN:X-Schichten mit X=P und Mg hergestellt. Die MSIBD-Methode erlaubt eine kontrollierte Dotierung der BN-Schichten bis hin zur Legierungsbildung unter definierten Depositionsparameteren wie Ionenenergie und Substrattemperatur. Es stellte sich heraus, daß der Parameterraum für die Nukleation von c-BN sich als Funktion der Fremdatomkonzentration verschiebt. Weiterhin wurden die Eigenschaften der resultierenden Schichten mit AES, EELS, XPS, UPS, RBS, Profilometrie und elektrischen Messungen bestimmt.