Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS 28: Diamant, diamant
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DS 28.2: Vortrag

Freitag, 30. März 2001, 12:30–12:45, S 5.1

Chemische Modifikation von Diamantoberflächen — •Sven Hadenfeldt und Carsten Benndorf — Universität Hamburg, Institut für Physikalische Chemie, Bundesstrasse 45, 20146 Hamburg

Untersucht wurde die Adsorption und Desorption von Halogenen auf niedrig indizierten Diamanteinkristalloberflachen der Orientierungen (111), (110) und (100) Eperimentellen Beobachtungen an diesen Modelloberflächen konnten mit Erkenntnissen aus der Niederdruckdiamantsynthese bei tiefen Temperaturen mit halogenhaltigen Precursern korelliert werden und liefern somit einen Beitrag zum näheren Verständnis dieses Synthesewegs. Die Präparation reproduzierbarer, vollständig wasserstoffterminierter Einkristalloberflächen erfolgte ex situ im Wasserstoffplasma. Es konnte gezeigt werden, dass ein entscheidender Faktor für die Reaktionsfähigkeit der Oberfläche mit Halogenen der Grad der Absättigung der Oberfläche mit Wasserstoff ist. Photoelektronenspektroskopische Untersuchungen der Halogenadsorption auf Diamantschichten und Einkristalloberflächen zeigen charakteristische Veränderungen der elektronischen Struktur, deren Deutung Gegenstand fortgeführter Untersuchungen ist. Chlorierte Diamantoberflächen sind reaktiver als Wasserstoff-terminierte Oberflächen. Sie eignen sich somit als reaktive Zwischenstufe auf dem Weg zu gezielt veränderten Oberflächen