DPG Phi
Verhandlungen
Verhandlungen
DPG

Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

DS: Dünne Schichten

DS 28: Diamant, diamant
ähnliche Materialien

DS 28.4: Vortrag

Freitag, 30. März 2001, 13:00–13:15, S 5.1

Analyse der Kohlenstoffdeposition bei der Gleichspannungs-unterstützten Keimbildung von Diamant auf Ir/SrTiO3 unter Verwendung von 13C-Methan — •T. Bauer1, F. Hörmann1, M. Schreck1, A. Bergmaier2, B. Stritzker1 und G. Dollinger21Institut für Physik, Universität Augsburg, 86135 Augsburg — 2Physik Department E12, TU München, 85747 Garching

Die Gleichspannungs-unterstützte Keimbildung (BEN) von Diamant ist der entscheidende Schritt für die epitaktische Keimbildung bei der chemischen Gasphasenabscheidung hochorientierter bzw. einkristalliner Diamantschichten. Für die Aufklärung der Elementarschritte bei Abscheidung auf Iridium–Pufferschichten wurden Experimente mit isotopenmarkiertem 13C-Methan durchgeführt. Optische Emissionsspektroskopie (OES) am Mikrowellenplasma zeigt, daß selbst in einem mit natürlichem Kohlenstoff ausgekleideten Reaktor die Gasphase aus nahezu isotopenreinem 13C besteht. Nach BEN–Experimenten von 45 min, 1.5 h und 3.5 h bei 700 0C, 5% CH4 in H2, wurden Konzentration und Tiefenverteilung von Kohlenstoff und Wasserstoff mittels elastic recoil detection (ERD) gemessen. Die Gesamtkohlenstoffbelegung steigt in den 3 Biasschritten von 2 · 1016 cm−2 auf 5 · 1016 cm−2 an. Während nach 45 min und 1.5 h 13C–Kohlenstoff nur an der Oberfläche und an der Grenzfläche Ir/SrTiO3 zu finden ist, verteilt er sich nach 3.5 h Stunden über die gesamte Dicke der Ir–Schicht. Wasserstoff findet sich nur an der Oberfläche. Die Korrelation der Oberflächenkohlenstoffbelegung mit Flächendichten und Größen der Diamantkristalle nach der Keimbildung wird im Hinblick auf mögliche Keimbildungsmodelle diskutiert.

100% | Mobil-Ansicht | English Version | Kontakt/Impressum/Datenschutz
DPG-Physik > DPG-Verhandlungen > 2001 > Hamburg