Hamburg 2001 – scientific programme
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DS: Dünne Schichten
DS 30: Schichteigenschaften VII
DS 30.1: Talk
Friday, March 30, 2001, 12:00–12:15, S 13/14
Strukturelle und elektrische Eigenschaften von ITO-Schichten — •Dieter Mergel1, Markus Schenkel1, Meseret Ghebre1 und Martin Sulkowski2 — 1Phys: Fb Physik, Universität, 45117 Essen — 2Chem: Fb Chemie, Universität, 45117 Essen
Eine Serie von ITO-Schichten wurde bei 380 C durch HF-Diodensputtern hergestellt, wobei der Sauerstoffzufluss systematisch variiert wurde.
Bei geringem O(2)-Fluss sind die (100)-orientierten Körner sehr viel größer als diejenigen mit anderen Orientierungen. Mit steigendem O(2)-Fluss nehmen Korndurchmesser und Elektronendichte (n)ab und die Kristallorientierungs-Textur wechselt von (100)- zu (622)-dominant. Die strukturellen Eigenschaften werden mit einem Modell des dynamischen Einbaus und der Segregation von Sauerstoff während des Schichtwachstums erklärt [1].
Die Beweglichkeit der Elektronen als Funktion von n folgt etwa einem Potenzgesetz, das dem für Einkristalle ähnelt und theoretisch aus der Streuung an ionisierten Donatoren abgeleitet werden kann [2].
[1] D.Mergel, W.Stass, G. Ehl, D.Barthel, J.Appl.Phys. 88 (2000) 2437. [2] J.R. Bellingham, W.A. Philips, C.J. Adkins, J.Mat.Sci.Lett. 11 ( 1992) 263.