Hamburg 2001 – scientific programme

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DS: Dünne Schichten

DS 30: Schichteigenschaften VII

DS 30.3: Talk

Friday, March 30, 2001, 12:30–12:45, S 13/14

Laser induzierte Kristallisation amorpher Ge₂Sb₂Te₅ — •Stefan Ziegler^1,2, Volker Weidenhof^1,2, Ingo Thomas^1,2, Ines Friedrich^1,2 und Matthias Wuttig^1,2 — ¹I. Physikalisches Institut der RWTH Aachen — ²Institut für Grenzflächenforschung und Vakuumphysik, FZ-Jülich

Das Kristallisationsverhalten dünner Ge₂Sb₂Te₅ und Ge₄Sb₁Te₅ Filme, die zur optischen Datenspeicherung auf der Basis von Phasenwechselmedien verwendet werden, wurde mittels Rasterkraftmikroskopie und optischer Reflektivitätsmessungen auf verschiedenen Zeitskalen untersucht. Das Ziel der Untersuchung ist die Bestimmung des Kristallisationsmechanismus.

Isotherme Messungen dienen dazu, die Temperaturabhängigkeit der Inkubationszeit zu messen, während die Untersuchung lokaler Laserkristallisation auf der ns-Zeitskala benutzt wurde, die minimale Kristallisationszeit amorpher Schichten zu bestimmen. Diese wird mit der Inkubationszeit identifiziert und zu 100 ns bzw. 380 ns für Ge₂Sb₂Te₅ bzw. Ge₄Sb₁Te₅ bestimmt. Die Kombination von optischen und AFM Messungen an aus der Flüssigkeit erstarrten amorphen Bereichen zeigt, dass die beiden untersuchten Legierungen unterschiedliche Nukleationsverhalten aufweisen.