DS 30: Schichteigenschaften VII
Friday, March 30, 2001, 12:00–13:30, S 13/14
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12:00 |
DS 30.1 |
Strukturelle und elektrische Eigenschaften von ITO-Schichten — •Dieter Mergel, Markus Schenkel, Meseret Ghebre und Martin Sulkowski
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12:15 |
DS 30.2 |
Strukturbildung und Struktur-Eigenschafts-Korrelationen in SiCN-basierten amorphen Keramiken — •Marc Amkreutz, Gerd Jungnickel und Thomas Frauenheim
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12:30 |
DS 30.3 |
Laser induzierte Kristallisation amorpher Ge2Sb2Te5 — •Stefan Ziegler, Volker Weidenhof, Ingo Thomas, Ines Friedrich und Matthias Wuttig
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12:45 |
DS 30.4 |
Atomic Structure of Interfaces Between Crystalline Silicon and amorphous Germanium — •M. Seibt, N.I. Borgardt, and B. Plikat
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13:00 |
DS 30.5 |
Strukturelle Charakterisierung dünner SrBi2Ta2O9-Filme unter dem Einfluß äußerer elektrischer Felder mittels Röntgenreflektivität — •Uwe Klemradt, Markus Aspelmeyer und Walter Hartner
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13:15 |
DS 30.6 |
Röntgenbeugung an dünnen epitaktischen Ba0.5Sr0.5TiO3-Filmen auf SrTiO3-Substrat — •Klemradt U., Aspelmeyer M., Le Bolloc’h D., Metzger T.H., Hao J. und Xi X.X.
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