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DS: Dünne Schichten

DS 31: Postersitzung

DS 31.22: Poster

Dienstag, 27. März 2001, 16:30–17:30, Foyer Saal 4

Auswirkungen des N₂⁺-Bombardements auf In-haltige AIII-BV Halbleiteroberflächen — •Jan-David Hecht, Frank Frost, Thomas Chassé, Dietmar Hirsch, Horst Neumann, Axel Schindler und Bernd Rauschenbach — Institut für Oberflächenmodifizierung, Permoserstraße 15, 04318 Leipzig

Die Auswirkungen des niederenergetischen N₂⁺-Bombardements auf Zusammensetzung, chemische Bindungsverhältnisse und optische Eigenschaften von In-haltigen AIII-BV Halbleiteroberflächen wurden mittels Photoelektronenspektroskopie (XPS), Röntgenabsorptionsspektroskopie (XAS) und Spektralellipsometrie (SE) untersucht. Unabhängig von den Prozeßparametern Ionenenergie und -einfallswinkel wurden beim Beschuß von InAs, InP, InSb der Einbau von Stickstoff in die Oberfläche mittels XPS beobachtet. Durch die Kombination von XPS und XAS wurde die lokale Bindung des eingebauten Stickstoffs näher untersucht. Neben einer Oberflächennitridation durch die Ausbildung von In-N-Bindungen konnte hierdurch der Einbau von ungebundenem (implantiertem) Stickstoff in die Matrix nachgewiesen werden. Ein nachträgliches Tempern bewirkt zum einen den Abbau des ungebundenen Stickstoffes und zum anderen ein teilweises Ausheilen beschußinduzierter Defekte der nitridierten Oberfläche.