Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

DS: Dünne Schichten

DS 31: Postersitzung

DS 31.33: Poster

Dienstag, 27. März 2001, 16:30–17:30, Foyer Saal 4

Einfluß der Biasspannung auf die Mikrostruktur plasmagestützt abgeschiedener metallischer In/Sn-Filme — •Marion Quaas¹, Harm Wulff¹, Rainer Hippler² und Hartmut Steffen² — ¹E.-M.-Arndt-Universität Greifswald, Inst. f. Chemie, Soldtmannstr. 23, 17489 Greifswald — ²E.-M.-Arndt-Universität Greifswald, Inst. f. Physik, Domstr. 10a, 17489 Greifswald

In einem dc-Magnetron Sputterprozeß wurden metallische In/Sn-Schichten bei verschiedenen negativen Substratvorspannungen (0 ... -100 V) abgeschieden. Die Mikrostruktur der Filme wurde mittels Röntgendiffraktometrie im streifenden Einfall (GIXRD)untersucht. In Abhängigkeit von der Biasspannung zeigen die Röntgenreflexe unterschiedliche Profilformen. Die Profilform von Röntgenreflexen einer kristallinen Phase wird durch Defekte wie Domänengrößen und Mikrospannungen bestimmt. Nach Abtrennung der gerätespezifischen Einflüsse können diese Parameter mit Hilfe der WARREN-AVERBACH-Methode berechnet werden. Die Mikrospannungen in den Filmen zeigen nur eine geringe Abhängigkeit von der Biasspannung. Deutliche Unterschiede werden jedoch für die Domänengrößen beobachtet. Eine Substratvorspannung von -50 V hat die stärkste Störung des Kristallwachstums zur Folge. Zusammenhänge zwischen der Biasspannung und der Mikrostruktur der Filme werden aufgezeigt und diskutiert.