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DS: Dünne Schichten

DS 31: Postersitzung

DS 31.34: Poster

Dienstag, 27. März 2001, 16:30–17:30, Foyer Saal 4

Untersuchung atomarer Diffusion in Chalkopyrit-basierten Solarzellenstrukturen mittels ERDA — •Swen Lindner, Wolfgang Bohne, Arnulf Jäger-Waldau, Marta Lux-Steiner, Jörg Röhrich und Gero Vogl — Hahn-Meitner-Institut, Abt.SE2/SF4, Glienicker Str. 100, D-14109 Berlin, Tel.:+49-30-8062-2563, e-mail:lindner@hmi.de

Bei der Abscheidung von ZnSe als Pufferschicht auf Chalkopyrit-Absorbern mittels halogenunterstützter CVD wird die Probe prozeßbedingt für einige Zeit auf Temperaturen von bis zu 370C erhitzt. Bei diesen Temperaturen kann es zu atomaren Diffusionsprozessen kommen.
Mittels Elastischer Rückstreudetektionsanalyse (ERDA - elastic recoil detection analysis) konnte qualitativ die Diffusion von Indium aus dem Absorber in die Pufferschicht nachgewiesen werden. Bei den untersuchten Materialien handelt es sich um komplexe polykristalline Materialien mit hoher Rauhigkeit, was qualitative Aussagen erschwert. Deshalb wurden weitere Untersuchungen an ZnSe-Einkristallen vorgenommen. An diesem Modellsystem kann die Diffusion des Indium in den Kristall abgeschätzt werden.