Hamburg 2001 – scientific programme

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DS: Dünne Schichten

DS 31: Postersitzung

DS 31.8: Poster

Tuesday, March 27, 2001, 16:30–17:30, Foyer Saal 4

Elektrochemische Abscheidung von Kupferschichten und -leiterbahnen - Einfluß der Herstellungsbedingungen auf die Mikrostruktur — •H. Schlörb, H. Wendrock, M. Hecker, T. Kötter und L. Schultz — IFW Dresden, Postfach 27 00 16, D-01171 Dresden

In höchstintegrierten Schaltkreisen wird zunehmend Aluminium von Kupfer als Leiterbahnmaterial abgelöst. Für hohe Zuverlässigkeit bei immer schmaler werdenden Leiterbahnbreiten mit hohen Aspektverhältnissen ist ein optimales Kupfergefüge notwendig. Daher werden zur Herstellung von Leiterbahnen und Durchkontaktierungen bevorzugt elektrochemische Verfahren eingesetzt, die den Vorteil bieten, daß durch Variation der Elektrolytzusammensetzung und der Abscheidebedingungen die Struktur und damit die Eigenschaften der gebildeten Schichten in einem weiten Bereich variiert werden können, wie anhand kinetischer und rasterkraftmikroskopischer Untersuchungen gezeigt wird. Mittels Kornorientierungs- und Texturmessungen wurde das als „ self annealing“ bezeichnete Kornwachstum bei Raumtemperatur innerhalb weniger Stunden nach Abscheidung untersucht. Durch in-situ Elektromigrationsuntersuchungen an Teststrukturen im Rasterelektronenmikroskop läßt sich das Schädigungsverhalten auf die Kornstruktur zurückführen.