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DS: Dünne Schichten

DS 4: Silicide I

DS 4.2: Hauptvortrag

Montag, 26. März 2001, 10:15–11:00, S 13/14

Seltenerdsilicidschichten auf Silicium — •M. Dähne, S. Vandré, C. Preinesberger, S. Becker und T. Kalka — Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin

Dünne epitaktische Silizidschichten sind für eine Reihe von Anwendungen in Halbleiterbauelementen von Interesse. In dem Vortrag werden die strukturellen und elektronischen Eigenschaften von Siliziden der Seltenen Erden auf einkristallinen Siliziumsubstraten vorgestellt, untersucht mit Rastertunnelmikroskopie und Photoemission.
Seltenerdsilizide auf n-dotiertem Si(111) sind bereits durch ihre sehr niedrigen Bandverbiegungen bekannt. Im Monolagenbereich wird nun sogar eine Flachbandsituation beobachtet [1]. Dieses unübliche Verhalten läßt sich auf eine geringe Metallizität der Monolage zurückführen.
Während auf der Si(111)7x7-Oberfläche ein zweidimensionales Schichtwachstum der Silizide vorherrscht, bilden sich auf Si(001)2x1 selbstorganisierte Drähte hoher Homogenität mit Längen bis über 200 nm aus [2]. Diese neuartigen Nanostrukturen werden im Detail vorgestellt.
Gefördert von der DFG, Projekt Da408/5-1

[1] S. Vandré, C. Preinesberger, T. Kalka, and M. Dähne-Prietsch, J. Vac. Sci. Technol. B 17, 1682 (1999).

[2] C. Preinesberger, S. Vandré, T. Kalka, and M. Dähne-Prietsch, J. Phys. D: Appl. Phys. 31, L43 (1998).