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DS: Dünne Schichten

DS 5: Silicide II

DS 5.1: Hauptvortrag

Montag, 26. März 2001, 11:15–12:00, S 13/14

Herstellung und elektrooptische Eigenschaften von ultradünnen Pt- und Ir-Silicidfilmen auf Silicium — •M. Schulz, H. Grünleitner, K.-M. Mahlein, O. Schreer und C. Schwarz — Lehrstuhl für Angewandte Physik, Universität Erlangen, Staudtstr. 7, D-91058 Erlangen

Platin- (PtSi) und Iridiumsilizidfilme (IrSi) im Dickenbereich 1nm - 10nm wurden durch Abscheiden des Metalls auf Si(100) und nachfolgender Temperung bei ca. 350^∘C für Pt und bei ca. 500^∘C für Ir hergestellt. Durch lokales Heizen mit einem Laser konnten wir Silizidstrukturen auf der Si-Oberfläche schreiben. Mit Aufheizen des Metallfilms durch einen im Dünnfilm aufgeprägten elektrischen Strom konnte das Silizid selbstgeregelt, sich lateral in der Schicht ausbreitend, gebildet werden. Die Silizidfilme wurden morphologisch durch Mikroskopie und elektrooptisch durch Messung der Infrarotphotoemission über die Schottkybarriere untersucht. Ultradünne IrSi-Filme zeigen keine Kristallstruktur. Messungen des elektrischen Schichtwiderstands bei tiefen Temperaturen zeigen thermisch aktivierte Leitfähigkeit wie in metallischen Gläsern.