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DS: Dünne Schichten

DS 6: Silicide III

DS 6.1: Vortrag

Montag, 26. März 2001, 14:00–14:15, S 13/14

Aspekte des epitaktischen Wachstums von Siliciden auf und in Silicium(001) — •M. Falke, S. Teichert, A. Mogilatenko, H. Giesler, G. Beddies und H.-J. Hinneberg — Institut für Physik, TU Chemnitz, 90107 Chemnitz

Mit der angestrebten weiteren Miniaturisierung in der Mikroelektronik wird das grundlegende Verständnis des Silicidwachstums auf der nm-Skala, insbesondere in Bezug auf Anfangsstadien und durchlaufene Phasen sowie den Einfluß von Diffusionsbarrieren und Substratzusätzen immer wichtiger. Unter diesen Aspekten wurden elektronenmikroskopische Untersuchungen an unterschiedlichen, mit verschiedenen Verfahren hergestellten Silicidschichten durchgeführt und mit RBS-Daten und elektrischen Messungen verglichen.

Obwohl die geringe Gitterfehlanpassung der CaF₂-Struktur von CoSi₂ und NiSi₂ zu Silicium bereits zu einer Reihe grundlegender experimenteller und theoretischer Arbeiten zur Epitaxie führte, sind die Systeme Co/Si und Ni/Si dabei erneut von besonderem Interesse, da die industrielle Herstellung stabiler niederohmiger TiSi₂-Strukturen im Submikrometerbereich Probleme bereitet. Ein weiteres Beispiel ist das halbleitende, für thermoelektrische Anwendungen interessante MnSi_1.7. In Schichten dieses tetragonalen Silicids wurden unterschiedliche Orientierungsbeziehungen zum Substrat und interessante Domänenstrukturen gefunden.