Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS 6: Silicide III

DS 6.2: Vortrag

Montag, 26. März 2001, 14:15–14:30, S 13/14

Reaktive Abscheidung von Ni auf Si(001) mit Sb als Surfactant — •H. Hortenbach, S. Teichert und H.-J. Hinneberg — Institut für Physik, TU Chemnitz, 09107 Chemnitz

Beim Schichtwachstum kann der Einsatz von oberflächenaktiven Substanzen (Surfactants) die energetischen Verhältnisse an der Wachstumsfront verändern und damit die Morphologie und kristalline Struktur des gewachsenen Materials entscheidend beeinflussen. Der überwiegende Teil der Literatur zu dieser Thematik ist auf nicht miteinander reagierende Substrat-Schicht Systeme fokussiert, reagierende Materialkombinationen wie zum Beispiel die Kombination von Übergangsmetallen und Silizium sind bisher nur wenig untersucht. In diesem Beitrag wird über den Einfluss der Sb-Terminierung des Si(001)-Substrates auf die Silizidbildung bei der reaktiven Abscheidung von Ni unter UHV-Bedingungen berichtet. Die Experimente zeigen, dass eine Sb-Vorbedeckung im Vergleich zum reinen Si-Substrat die Dichte der gewachsenen Silizidinseln und den oberflächlichen Bedeckungsgrad des Substrates mit dem Silizid verringert. Dadurch ergiebt sich ein ausgeprägtes Tiefenwachstum der Silizidkristallite.