DS 6: Silicide III
Montag, 26. März 2001, 14:00–15:00, S 13/14
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14:00 |
DS 6.1 |
Aspekte des epitaktischen Wachstums von Siliciden auf und in Silicium(001) — •M. Falke, S. Teichert, A. Mogilatenko, H. Giesler, G. Beddies und H.-J. Hinneberg
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14:15 |
DS 6.2 |
Reaktive Abscheidung von Ni auf Si(001) mit Sb als Surfactant — •H. Hortenbach, S. Teichert und H.-J. Hinneberg
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14:30 |
DS 6.3 |
MBE-Wachstum einer Si/CoSi2/Ge Heterostruktur für vertikale Photodetektoren — •Stephan Winnerl, Ludger Kappius, Steffi Lenk, Dan Buca, Christoph Buchal und Siegfried Mantl
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14:45 |
DS 6.4 |
Optische Eigenschaften von β-FeSi2-Präzipitaten in Silizium — •Bernd Schuller, Reinhard Carius und Siegfried Mantl
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