Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS 8: Schutzschichten

DS 8.2: Vortrag

Montag, 26. März 2001, 17:15–17:30, S 13/14

Charakterisierung von ionenstrahldeponierten Borcarbidfilmen für die Beschichtung von AFM-Spitzen — •Oliver Wondratschek, Carsten Ronning, Michael Büttner, and Hans Hofsäß — 2.Physikalisches Institut, Bunsenstr.7-9,37073 Göttingen

Borcarbid (B₄C) zählt zu den superharten Materialien (Knoop-Härte ca. 3000 Kg/mm²) und ist das einzige Material dieser Klasse das gut elektrisch leitend ist. Diese Eigenschaften machen B₄C zu einem idealen Kandidaten für Beschichtungen von Silizium AFM-Spitzen um einerseits robuste Spitzen zur Messung der Topographie und andererseits leitfähige Spitzen für Messungen im Kelvin-Mode zu erhalten. In diesem Beitrag berichten wir von Borcarbid-Schichten, die über die Deposition von massenseparierten niederenergetischen B⁺ und C⁺-Ionen hergestellt worden sind. Die Depositionsenergie und Stöchiometrie wurde dabei systematisch variiert. Charakterisiert wurden die BC - Schichten mittels Auger - und Photoelektronenspektroskopie (AES , XPS , EELS), Rutherford - Rückstreuung (RBS) und Profilometrie . Die elektrischen Eigenschaften wurden durch Aufnahme von I(U)- Kennlinien bestimmt.