Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

DS: Dünne Schichten

DS 9: Laserverfahren I

DS 9.1: Vortrag

Dienstag, 27. März 2001, 09:30–09:45, S 5.1

In situ Spektroskopie der mit einem VUV-Laser induzierten Oxidation von wasserstoffterminierten Siliziumoberflächen — •Jochen Lambers und Peter Hess — Physikalisch-Chemisches Institut, Universität Heidelberg, Im Neuenheimer Feld 253, D-69120 Heidelberg

Das kontrollierte Wachstum ultradünner, qualitativ hochwertiger Siliziumdioxidfilme ist von grundlegendem wissenschaftlichenm Interesse und Voraussetzung für die weitere Miniaturisierung von Halbleiterbausteinen wie des Gate-Oxids in Feldeffekt-Transistoren. Trotz intensiver Forschung ist die Struktur und die Zusammensetzung gerade des Grenzflächenbereichs noch wenig verstanden. Es werden Experimente vorgestellt, bei denen die Oxidation von naßchemisch hergestellten Si(110)-(1x1):H und Si(111)-(1x1):H Oberflächen mit Sauerstoff und Wasserdampf durch Bestrahlung mit einem VUV-Fluor-Laser (157 nm) durchgeführt und mit in-situ FTIR-Transmissionsspektroskopie verfolgt wurde. Die verschiedenen Phasen der Oberflächenoxidation konnten sowohl durch Beobachtung der Si-H Streckschwingungsabsorptionen als auch durch Detektion von verschiedenen während der Reaktion entstehenden Siliziumoxid-Spezies beobachtet werden.