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DS: Dünne Schichten

DS 9: Laserverfahren I

DS 9.3: Vortrag

Dienstag, 27. März 2001, 10:00–10:15, S 5.1

Laser-Kristallisierung dünner Siliziumfilme mit holographisch generierten Intensitätsprofilen — •Christopher Eisele, Tobias Bach, Christoph E. Nebel und Martin Stutzmann — Walter Schottky Institut, Am Coulombwall, 85748 Garching

Laser-Kristallisierung von dünnen Siliziumfilmen auf Glas dient zur Verbesserung der elektrischen Eigenschaften für großflächige Anwendungen wie beispielsweise Flachbildschirme. Die Verwendung eines frequenzverdoppelten Nd:YAG Lasers mit einer Kohärenzlänge von ca. 1 m zur Kristallisierung ermöglicht den Einsatz von diffraktiver Optik. Verschiedene digitale Phasen- Hologramme wurden berechnet, um die Verteilung der Intensität auf der Probe gezielt einzustellen. Die Berechnung und Herstellung der digitalen Hologramme wird vorgestellt. Zur Laser-Kristallisierung wurde eine linienförmige Intensitätsverteilung verwendet und sukzessive in 100 nm Schritten über der Probe verfahren. Dieses Verfahren führt zu lateralem Wachstum von Kristalliten. Mit ortsaufgelösten Photostromexperimenten gelang es, elektrisch aktive Korngrenzen in dieser Schicht zu detektieren, deren Barrierenhöhe zu 60 meV bestimmt werden konnte.