 |
Mon, 09:30–10:15 |
S 5.1 |
DS 1: Oberfl
ächenmodifizierung I |
|
|
|
Mon, 10:15–10:45 |
S 5.1 |
DS 2: Oberfl
ächenmodifizierung II |
|
|
|
Mon, 11:00–12:15 |
S 5.1 |
DS 3: Schichteigenschaften I |
|
|
|
Mon, 09:30–11:00 |
S 13/14 |
DS 4: Silicide I |
|
|
|
Mon, 11:15–12:00 |
S 13/14 |
DS 5: Silicide II |
|
|
|
Mon, 14:00–15:00 |
S 13/14 |
DS 6: Silicide III |
|
|
|
Mon, 15:15–16:45 |
S 13/14 |
DS 7: Schichtwachstum I |
|
|
|
Mon, 17:00–17:45 |
S 13/14 |
DS 8: Schutzschichten |
|
|
|
Tue, 09:30–11:00 |
S 5.1 |
DS 9: Laserverfahren I |
|
|
|
Tue, 11:15–12:30 |
S 5.1 |
DS 10: Laserverfahren II |
|
|
|
Tue, 09:30–10:15 |
S 13/14 |
DS 11: Schichtherstellung I |
|
|
|
Tue, 10:15–10:45 |
S 13/14 |
DS 12: Schichtherstellung II |
|
|
|
Tue, 11:00–12:00 |
S 13/14 |
DS 13: Schichtherstellung III |
|
|
|
Tue, 15:30–16:15 |
S 13/14 |
DS 14: Schichtwachstum II |
|
|
|
Thu, 09:30–10:15 |
S 5.1 |
DS 15: Ionenimplantation I |
|
|
|
Thu, 10:15–11:00 |
S 5.1 |
DS 16: Ionenimplantation II |
|
|
|
Thu, 11:15–12:15 |
S 5.1 |
DS 17: Ionenimplantation III |
|
|
|
Thu, 14:00–14:45 |
S 5.1 |
DS 18: Ionenimplantation IV |
|
|
|
Thu, 15:00–16:45 |
S 5.1 |
DS 19: Schichteigenschaften II |
|
|
|
Thu, 17:00–17:45 |
S 5.1 |
DS 20: Schichteigenschaften III |
|
|
|
Thu, 09:30–10:30 |
S 13/14 |
DS 21: Schichteigenschaften IV |
|
|
|
Thu, 10:45–11:45 |
S 13/14 |
DS 22: Schichteigenschaften V |
|
|
|
Thu, 14:00–14:45 |
S 13/14 |
DS 23: Spezielle Schichten I |
|
|
|
Thu, 14:45–16:00 |
S 13/14 |
DS 24: Spezielle Schichten II |
|
|
|
Thu, 16:15–17:30 |
S 13/14 |
DS 25: Spezielle Schichten III |
|
|
|
Fri, 10:15–11:30 |
S 5.1 |
DS 26: c-BN |
|
|
|
Fri, 11:30–12:15 |
S 5.1 |
DS 27: c-BN:X |
|
|
|
Fri, 12:15–13:30 |
S 5.1 |
DS 28: Diamant, diamant
ähnliche Materialien |
|
|
|
Fri, 10:15–11:45 |
S 13/14 |
DS 29: Schichteigenschaften VI |
|
|
|
Fri, 12:00–13:30 |
S 13/14 |
DS 30: Schichteigenschaften VII |
|
|
|
Tue, 16:30–17:30 |
Foyer Saal 4 |
DS 31: Postersitzung |
|
|
