Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help

HL: Halbleiterphysik

HL 10: Grenz- und Oberfl
ächen

HL 10.12: Talk

Monday, March 26, 2001, 18:15–18:30, S16

Untersuchungen zur atomaren Rekonstruktion MOCVD-gewachsener InP(100) Oberflächen — •Lars Töben, Thomas Hannappel, Hans-Joachim Crawack, Christian Pettenkofer und Frank Willig — Hahn-Meitner-Institut,Bereich SE, Glienicker Strasse 100, 14109 Berlin

Ein detailliertes Verständnis der Eigenschaften von hochgeodneten, MOCVD-gewachsenen InP(100) Oberflächen ist als Ausgangspunkt für die kontrollierte und optimierte Präparation von qualitativ hochwertigen Grenzflächen notwendig. Phosphor-terminierte, (2x1)-artig und Indium-terminierte, (2x4) rekonstruierte InP(100) Oberflächen wurden hierzu nach der MOCVD-Präparation und dem Transfer ins UHV mittels UV-Photoelektronenspektroskopie (UPS) und Tieftemperatur-Reflexionsanisotropie-Spektroskopie (TT-RAS) untersucht. UPS-Spektren sollen mit 20K-TT-RAS-Spektren, STM und LEED verglichen werden. Die Abhängigkeit der maximalen Intensität oberflächensensitiver Peaks im RA-Spektrum sowie bestimmter Valenzbandstrukturen in den UP-Spektren vom Ordnungsgrad der Oberfläche wird dikutiert.