Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 10: Grenz- und Oberfl
ächen
HL 10.1: Vortrag
Montag, 26. März 2001, 15:30–15:45, S16
Untersuchungen vergrabener SiO2/Si- und SiO2/SiC-Grenzschichten mit hochenergetischer Photoemission — •Thorsten Eickhoff1, Wolfgang Drube2 und Gerhard Materlik2 — 1II. Inst f. Exp. Phys. Universität Hamburg, Luruper Chaussee 149, 22761 Hamburg, Germany — 2HASYLAB / DESY, Notkestraße 85, 22603 Hamburg, Germany
Photoemissionsmessungen mit UV–Strahlung oder Röntgenstrahlung (UPS bzw. XPS) sind etablierte Methoden zur elektronischen und chemischen Charakterisierung von Oberflächen und oberflächennahen Schichten. So ist die anfängliche Oxidation von Si eingehend mit UPS und XPS studiert worden. Wegen der geringen Ausdringtiefe der Elektronen aus dem Festkörper erfordert die Untersuchung tiefer vergrabener Schichten höhere kinetische Energien als mit den üblichen Laborquellen erreicht wird. Dieses wird realisiert unter Verwendung von Synchrotronstrahlung mit Anregungsenergien von ca. 3000–5000 eV. Die Informationstiefe wird so auf mehr als 10 nm (SiO2) ausgedehnt. Durch Variation des Austrittswinkels der Elektronen oder des Auftreffwinkels der Synchrotronstrahlung im Bereich externer Totalreflexion ist es möglich, über einen ausgedehnten Tiefenbereich chemische Information tiefenabhängig zu gewinnen.
Anhand der Grenzschichtsysteme SiO2/Si und SiO2/SiC werden die Möglichkeiten der hochenergetischen Photoemission, durchgeführt am BW2 des HASYLAB, aufgezeigt und auf diese technologisch relevanten Beispiele angewendet.