Hamburg 2001 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 10: Grenz- und Oberfl
ächen
HL 10.5: Talk
Monday, March 26, 2001, 16:30–16:45, S16
Oberflächen und Grenzflächen entarteter Oxid-Halbleiter — •A. Klein — Technische Universität Darmstadt, Fachbereich Materialwissenschaft
Oxidische Halbleiter wie In2O3, SnO2 und ZnO spielen in der Technologie eine bedeutende Rolle. Sie sind transparent im Bereich des sichtbaren Lichts und weisen eine hohe elektrische Leitfähigkeit auf, die auf sehr hohe Ladungsträgerkonzentrationen zurückgehen. In vielen Anwendungen wie z.B. in Dünnschichtsolarzellen sind die Grenzflächen dieser entarteten Halbleiter entscheidend für die Funktion. Untersuchungen mit oberflächenphysikalischen Methoden (XPS, UPS) von in-situ präparierten Grenzflächen auf unterschiedlichen Halbleitern weisen, trotz der hohen Dotierung, auf die Ausbildung von Raumladungszonen hin. Diese können maßgeblich die Barrierenhöhen und damit die Transporteigenschaften beeinflussen.