Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 10: Grenz- und Oberfl
ächen

HL 10.6: Vortrag

Montag, 26. März 2001, 16:45–17:00, S16

Struturänderungen innerer (GaIn)(NAs)-Grenzflächen in Abhängigkeit der epitaktischen Wachstumsbedingungen — •Torsten Torunski, Siegfried Nau, Jörg Koch und Wolfgang Stolz — Wissenschaftliches Zentrum für Materialwissenschaften und Fachbereich Physik, Philipps-Universität Marburg

Die Kenntnis über die Struktur innerer Grenzflächen von Heterostrukturen ist von immenser Bedeutung für das bessere Verständnis, sowohl von Wachstumsprozessen als auch von physikalischen Eigenschaften dieser Heterostrukturen und deren mögliche Anwendungen in Bauelementen. Diese inneren Grenzflächen werden in strukturerhaltenden naßchemischen Ätzprozessen freigelegt und anschließend mit dem Rasterkraftmikroskop untersucht.
Für verschiedene Materialsysteme wie (GaIn)As/GaAs, (GaIn)P/GaAs und (AlGa)As/GaAs wurde der Einsatz dieser Methode bereits demonstriert. Nun ist es erstmals gelungen, die inneren Grenzflächen von (GaIn)(NAs) auf GaAs Basis freizulegen und die daraufhin entstandenen Grenzflächencharakteristika in direkter Korrelation mit den Wachstumsprozessen zu bringen.
Diese Strukturänderungen werden in Abhängigkeit von Wachstumstemperaturen, Wachstumsunterbrechungen und Beschaffenheit der darunterliegenden GaAs-Unterlage vorgestellt und die Ergebnisse diskutiert.