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HL: Halbleiterphysik

HL 10: Grenz- und Oberfl
ächen

HL 10.9: Vortrag

Montag, 26. März 2001, 17:30–17:45, S16

Integration eines in-situ AFM in einen MOVPE-Reaktor — •B. Rähmer, F. Poser, M. Pristovsek, S. Weeke, J.-T. Zettler und W. Richter — TU Berlin, Institut für Festkörperphysik, Sekr. PN 6-1, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin

Optische Verfahren erlauben zwar eine in-situ Realzeitanalyse der metallorganischen Gasphasenepitaxie (MOVPE), liefern aber i. A. nicht die Oberflächentopographie. Deswegen wurde ein Hochtemperatur-in-situ Rasterkraftmikroskop zur direkten Abbildung der Wachstumsoberfläche in den MOVPE-Reaktor integriert. An ein solches in-situ AFM werden erhöhte Anforderungen gestellt, wie Eignung für hohe Temperaturen, Schwingungsdämpfung im Gasstrom und die Notwendigkeit kurzer Aufnahmezeiten. Insbesondere darf der Wachstumsprozess nicht gestört werden.

Die Regelung des in-situ AFM basiert auf der elektronischen Dämpfung eines 3 MHz-Membranschwingquarzes mit aufgeklebter Glasfaserspitze. Die Sondenspitze schwingt dabei vertikal zur Probenoberfläche. Die hohe Resonanzfrequenz des Schwingquarzes ermöglicht das für in-situ Anwendungen notwendige schnelle Rastern. Die senkrechte Grobannäherung wird durch einen Scherpiezo-Walker realisiert.

Neben den apparativen Entwicklungen und der Integration in den MOVPE-Reaktor werden erste Messungen vorgestellt.