 |
15:30 |
HL 10.1 |
Untersuchungen vergrabener SiO2/Si- und SiO2/SiC-Grenzschichten mit hochenergetischer Photoemission — •Thorsten Eickhoff, Wolfgang Drube und Gerhard Materlik
|
|
|
|
15:45 |
HL 10.2 |
DLTS-Untersuchung der Grenzflächenzustände an UHV-gebondeten (100)-Si Wafern — •Alexander Reznicek, Stephan Senz, Otwin Breitenstein, Ulrich Gösele und Rainer Pickenhain
|
|
|
|
16:00 |
HL 10.3 |
Atomic Structure of HfO2(110)/Si(001) Interfaces — •Jarek Dabrowski, Victor Zavodinsky, Hans-Joachim Müssig, and Konstantin Ignatovich
|
|
|
|
16:15 |
HL 10.4 |
Segregation of Phosphorus to SiO2/Si(001) Interfaces — •Jarek Dabrowski, Victor Zavodinsky, Hans-Joachim Müssig, and Konstantin Ignatovich
|
|
|
|
16:30 |
HL 10.5 |
Oberflächen und Grenzflächen entarteter Oxid-Halbleiter — •A. Klein
|
|
|
|
16:45 |
HL 10.6 |
Struturänderungen innerer (GaIn)(NAs)-Grenzflächen in Abhängigkeit der epitaktischen Wachstumsbedingungen — •Torsten Torunski, Siegfried Nau, Jörg Koch und Wolfgang Stolz
|
|
|
|
17:00 |
HL 10.7 |
Structural and dynamical properties of Sn/Si multilayers — •B. Roldán Cuenya, W. Keune, M. Hu, W. Sturhahn, and M. Grimsditch
|
|
|
|
17:15 |
HL 10.8 |
Characterization of the ZnSe/CuGaSe2 Interface Using UHV Kelvin Probe Force Microscopy — •Thilo Glatzel, Sascha Sadewasser, Marin Rusu, Arnulf Jäger-Waldau, and Martha Ch. Lux-Steiner
|
|
|
|
17:30 |
HL 10.9 |
Integration eines in-situ AFM in einen MOVPE-Reaktor — •B. Rähmer, F. Poser, M. Pristovsek, S. Weeke, J.-T. Zettler und W. Richter
|
|
|
|
17:45 |
HL 10.10 |
Sauerstoff-Deltastrukturen in Silizium — •Torsten Sulima, Johann Messarosch, Jörg Schulze, Yan Wang und Ignaz Eisele
|
|
|
|
18:00 |
HL 10.11 |
Inspection of surface roughness of semiconductor materials and influence on surface acoustic wave dispersion — •Colm Flannery and Hartmut von Kiedrowski
|
|
|
|
18:15 |
HL 10.12 |
Untersuchungen zur atomaren Rekonstruktion MOCVD-gewachsener InP(100) Oberflächen — •Lars Töben, Thomas Hannappel, Hans-Joachim Crawack, Christian Pettenkofer und Frank Willig
|
|
|
|
18:30 |
HL 10.13 |
Geladene Punktdefekte im Volumen und an der Oberfläche von Halbleitern − Berechnung der Bildungsenergie unter Verwendung von periodischen Randbedingungen — •G. Schwarz, J. Neugebauer und M. Scheffler
|
|
|
