Hamburg 2001 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 11: Kohlenstoff / Diamant

HL 11.7: Talk

Monday, March 26, 2001, 17:00–17:15, S17

Homoepitaxie von hochreinen und glatten Diamantschichten mittels HFCVD — •Markus Stammler, Henrik Eisenbeiß, Jürgen Ristein und Lothar Ley — Institut für Technische Physik II, Universität Erlangen-Nürnberg, Erwin-Rommel-Straße 1, 91058 Erlangen

Homoepitaktische Diamantschichten wurden mittels Hot Filament (HF)-CVD auf Sumitomo Typ Ib (100) Diamantsubstraten abgeschieden. Es gelang, mit Wachstumsraten von 0.3 µm/h Epischichten frei von Sekundärkeimen herzustellen. Die Rauhigkeit der Oberflächen konnte durch das CVD-Wachstum von 2-3 nm auf unter 1 nm RMS gesenkt werden. Der Einfluß von Stickstoff auf die Stabilisierung der Textur und die Unterdrückung der Sekundärkeimbildung wurde untersucht. Mit konfokaler µ-Ramanspektroskopie konnten keine Fremdphasen in Form von nichtdiamantartigem Kohlenstoff nachgewiesen werden. Die Konzentration von Verunreinigungen wurde mit Hilfe von PL-Spektroskopie untersucht, wobei sich neben Stickstoff-korrelierten Defekten auch Si-Fehlstellen-Komplexe zeigten.