Hamburg 2001 – scientific programme
Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help
HL: Halbleiterphysik
HL 12: Quantenpunkte und -dr
ähte: Transporteigenschaften I
HL 12.1: Talk
Monday, March 26, 2001, 15:30–15:45, S9/10
Untersuchung von Quasiteilchen-Relaxation in ungeordneten Halbleitern durch Einzelelektronentunneln — •J. Könemann1, P. König1, T. Schmidt1, E. McCann2, V. I. Fal’ko2 und R. J. Haug1 — 1Inst. f. Festkörperphys., Uni Hannover, Appelstr. 2, 30167 Hannover, Deutschland — 2Dep. of Physics, Lancaster University, Lancaster, LA1 4YB, UK
Wir stellen eine spektroskopische Methode zur Messung der inelastischen Quasiteilchen-Relaxation in einer ungeordneten Fermiflüssigkeit vor. Die Quasiteilchen-Relaxationsrate γ wird aus der Größe der Fluktuationen der lokalen Zustandsdichte (LDOS) im Kontakt bestimmt. Die LDOS wird hierbei mittels Einzelelektronentunneln spektroskopiert.
Die untersuchte Probe ist eine stark asymmetrische vertikale resonante Tunneldiode mit einem 10 nm dicken GaAs-Quantentopf sowie 5 nm und 8 nm dicken Al0.3Ga0.7As-Tunnelbarrieren, die durch 7 nm dicke Spacerschichten von den mit 4·1017 cm−3 hochdotierten Kontakten getrennt sind. Wir studieren die Abhängigkeit der Quasiteilchen-Relaxation von der Anregungsenergie relativ zur Fermienergie. Für γ finden wir im stark ungeordneten GaAs-Kontakt eine γ ∝ E3/2-Abhängigkeit [1]. Dies stimmt mit der Altshuler-Aronov-Theorie für Elektron-Elektron-Wechselwirkungen in diffusiven Leitern überein.
Weiterhin haben wir das Verhalten der LDOS-Fluktuationen in hohen Magnetfeldern in zwei unterschiedlichen Konfigurationen untersucht, d.h. das Magnetfeld sowohl parallel als auch orthogonal zum Tunnelstrom angelegt.
[1] Schmidt et al., erscheint in PRL.