Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 12: Quantenpunkte und -dr
ähte: Transporteigenschaften I

HL 12.3: Vortrag

Montag, 26. März 2001, 16:00–16:15, S9/10

Einfluß von InAs-Quantenpunkten auf die Zustandsdichte eines benachbarten zweidimensionalen Elektronengases — •Ch. Weichsel, I. Pallecchi, S. Schnüll, Ch. Heyn und W. Hansen — Institut für Angewandte Physik und Zentrum für Mikrostrukturforschung, Universität Hamburg, Jungiusstrasse 11, D-20355 Hamburg

Mit Hilfe der Magnetokapazitätsspektroskopie untersuchen wir die Zustandsdichte eines zweidimensionalen Elektronengases (2DEG), das sich in der Nähe einer Schicht selbstorganisiert gewachsener InAs-Quantenpunkte befindet. Die Quantenpunkte wurden mittels Molekularstrahlepitaxie in eine Metall-Isolator-Halbleiter (MIS-) Heterostruktur eingebaut, in der über eine Gatespannung die Quantenpunkte und das 2DEG geladen werden können. Das Kapazitätsspektrum des 2DEG spiegelt direkt dessen Zustandsdichte wider. Im senkrecht zum 2DEG angelegten Magnetfeld werden die Landauniveaus sichtbar. Im Gegensatz zu Proben, in denen sich keine Quantenpunkte befinden, messen wir in Proben mit eingebauten Quantenpunkten, daß die Landauniveaubreite deutlich von der Zahl der gefüllten Landauniveaus abhängt. Die beobachtete Reduktion der Niveauverbreiterung mit zunehmender Energie ist in Übereinstimmung mit einem theoretischen Modell von Spies et al. [1]. Diese Arbeit wird im Rahmen des SFB 508 Quantenmaterialien unterstützt.

[1] L. Spies, W. Apel und B. Kramer: Phys.Rev.B 55, 4057(1997)