Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 12: Quantenpunkte und -dr
ähte: Transporteigenschaften I

HL 12.4: Vortrag

Montag, 26. März 2001, 16:15–16:30, S9/10

Einfluß der Eigenschaften von quasi eindimensionalen Kanälen auf die Genauigkeit von oberflächenwellen-induziertem quantisierten Strom — •Jens Ebbecke, Klaus Pierz und Franz-Josef Ahlers — Physikalisch-Technische Bundesanstalt, Bundesallee 100, 38116 Braunschweig

Eine auf GaAs propagierende akustische Oberflächenwelle wird von einer piezoelektrischen Welle begleitet. Das Feld dieser Welle wechselwirkt mit den Elektronen des im GaAs befindlichen zweidimensionalen Elektronengas (2DEG). Diese Wechselwirkung ist gering solange die Elektronendichte im 2DEG groß ist. Im Mündungsbereich eines quasi eindimensionalen Kanals nimmt die Elektronendichte ab. Das piezoelektrische Feld bildet dort einen Quantenpunkt aus dem 2DEG. Eine feste Anzahl n von Elektronen können bei großer Amplitude der Oberflächenwelle über den Potentialberg eines abgeschnürten Kanals transportiert werden. Der resultierende Strom I ist in Einheiten von I=e· f quantisiert, wobei e die Elementarladung eines Elektrons und f die Frequenz der Welle ist. Die Genauigkeit dieser Quantisierung wird von der relativen Amplitude der Oberflächenwelle und von den Eigenschaften des eindimensionalen Kanals bestimmt. Wir haben diese Zusammenhänge näher untersucht und stellen unsere Ergebnisse vor.