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HL: Halbleiterphysik

HL 13: II-VI Halbleiter I

HL 13.10: Vortrag

Montag, 26. März 2001, 17:45–18:00, S6

HRTEM-Untersuchung von CdZnSe/GaAs(100)-Inselstrukturen — •Sven Schäfer¹, Dimitri Litvinov¹, Andreas Rosenauer¹, Dagmar Gerthsen¹, Michael Bartels² und Detlev Schikora² — ¹Laboratorium für Elektronenmikroskopie, Universität Karlsruhe, Kaiserstrasse 12, D-76128 Karlsruhe — ²Universität Paderborn, FB Physik, Warburgerstrasse 100, 33098 Paderborn

In diesem Beitrag wird die lokale Cd-Konzentration von MBE gewachsenen CdZnSe/GaAs(100)-Inselstrukturen mittels hochauflösender Transmissionelektronenmikroskopie (HRTEM) bestimmt. Mit Hilfe des Verfahrens CELFA (Composition Evaluation by Lattice Fringe Analysis) wird die Intensitätsabhängigkeit des chemisch sensitiven Reflexes (002) von der lokalen Zusammensetzung dazu verwendet, die lokale Cd-Konzentration zu bestimmen. Die Bestimmung der lokalen Cd-Konzentration erfolgt durch einen Vergleich der aus den Bildern entnommenen Intensität mit berechneten Werten. Diese Werte wurden mit Hilfe des Programmpaketes EMS (electron microscopy simulations) von Stadelmann berechnet. Im gewachsenen CdZnSe-Quantentrog läst sich eine stark inhomogene Cd-Verteilung beobachten. Es bilden sich 2D-Inseln Innerhalb der Schicht mit erhöhter Cd-Konzentration. Das Verhältnis der Cd-Konzentration in den Inseln im Verhältnis zu der in der Benetzungsschicht, und dessen Abhängigkeit von den Wachstumsbedingungen wurde untersucht.