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HL: Halbleiterphysik

HL 13: II-VI Halbleiter I

HL 13.2: Vortrag

Montag, 26. März 2001, 15:45–16:00, S6

MBE-Wachstum von CdMnSe auf InAs als neues Material für Spininjektion — •P. Grabs¹, G. Richter¹, R. Fiederling¹, G. Schmidt¹, L. Molenkamp¹, W. Weigand², Th. Gleim², C. Heske² und E. Umbach² — ¹Experimentelle Physik III, Universität Würzburg, 97074 Würzburg, Germany — ²Experimentelle Physik II, Universität Würzburg, 97074 Würzburg, Germany

Für die Injektion spinpolarisierter Elektronen in Halbleiter stellt das Materialsystem InAs/CdMnSe einen weiteren vielversprechenden Ansatz dar.

CdMnSe ist bei einem Mn-Gehalt von ca. 12% gitterangepasst zu InAs, welches durch seine hohe intrinsische Beweglichkeit und die Bildung eines 2-dimensionalen Elektronengases an der Oberfläche ein bevorzugtes Material für Transportexperimente darstellt. Die Möglichkeit gute ex-situ-Kontakte herzustellen, bietet eine große Variabilität im Probendesign. Erste magnetooptischen Untersuchungen der gewachsenen CdMnSe-Schichten zeigen die für semimagnetische Halbleiter typische große Zeemanaufspaltung. Weiterhin wurden die Proben per XRD, XPS und in-situ-SPA-LEED untersucht. Die Untersuchungsergebnisse deuten auf eine

hohe strukturelle und optische Qualität hin.